硅基负极材料的研究进展

孙国庆, 李海波, 丁志阳, 郭文辉, 徐浩, 赵艳侠

Research progress of silicon based anode materials

Guoqing SUN, Haibo LI, Zhiyang DING, Wenhui GUO, Hao XU, Yanxia ZHAO

表2 各类硅负极结构设计与纯硅负极性能对比［46-48，52-55］

Table 2 Structural design of various types of silicon negative electrode and performance comparison of pure silicon negative electrode［46-48，52-55］

结构设计 活性物质 活性物质含量/% 充放电条件 循环圈数/次 初始比容量/(mAh/g) 剩余可逆容量/(mAh/g) 容量保持率/% 未设计 Si 100 300 mA/g 60 3250 0 0 核壳结构 Si 77 1.86 A/g 1000 1196（第二圈） 1160 97 弹性包覆 SiO2 22 750 mA/g 500 1500 836 55 “三明治”结构 Si 60 300 mA/g 400 1000 930 93 “呼吸图”蜂窝结构 Si 50 50 mA/g 50 1686 1183 70 DWSiNTs Si、SiO2 60 24 A/g 6000 681.9（第二圈） 600 83