石 维1,2,杨邦朝1,张选红2,方 鸣2,马建华2,李 玮1,王兴伟2
SHI Wei1,YANG Bangchao1,ZHANG Xuanhong2,FANG Ming2,MA Jianhua2,Li Wei1,WANG Xingwei2
摘要: 介绍了阳极Ta2O5薄膜的电化学形成机理,并重点分析了电化学形成的Ta2O5薄膜漏电流机理的研究进展。描述了影响电化学Ta2O5薄膜生长的关键因素,包括氧含量、杂质缺陷和薄膜晶化等;分析了Ta2O5薄膜漏电流机理,如空间电荷限制电流(SCLC) 、Fowler-Nordheim (F-N)导电机理、Pool-Frenkel (PF) 发射、Schottky (S) 发射等。最后展望了降低电化学Ta2O5薄膜材料的漏电流的理论及技术发展前景,Ta2O5薄膜后期的热处理、高分子增强塑性和复合薄膜技术等方面的新技术的应用将值得期待。