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卷
期
作者
作者单位
期刊
出版年
几种研究AlN-MOCVD气相反应机理的方法
三种典型的AlN生长方法：(a) 传统的MOCVD方法；(b) MEMOCVD方法：在传统低温形核层上生长高温AlN，TMAl和NH
3
交替供应，以增强表面迁移率；（c）侧向外延方法：晶体从未修饰的蓝宝石坑槽向上生长，然后横向生长，覆盖修饰区域，横向生长抑制了位错的蔓延
[
24
]
深紫外LED的InAlGaN异质结示意图和TEM断面图
[
3
]
DMAlNH
2
在理想AlN(0001)-Al面上的吸附：（a）Top-Top吸附结构；（b）3Top吸附结构
注:
虚线表示与表面原子之间成键;短划线表示吸附质分子内可能断裂的键
[
83
]
AlN(0001)重构面的顶视图
[
67
]
衬底上粒子的吸附、迁移、并入晶格、脱附示意图
[
58
]
激光散射和原位TEM观测到的衬底上方约6mm处的纳米粒子层
[
31
]
AlN-MOCVD生长的主要气相反应路径示意图
[
44
]
TMAl与NH
3
气相反应中主要分子的优化结构示意图
[
44
]
MOCVD生长AlN的三条气相反应路径（从TMAl开始的三条路径）
[
30
]
(a) EPR谱图，(b) O 1s 的XPS谱图，(c) 价带，(d) Ru/2H-MoS
2
材料电催化将N
2
转化为NH
3
的最小能量示意图
[
125
,
127
]
(a) Ru–Cu NPs的结构以及制备示意图，(b) Ru–Cu NPs的元素分布图，(c) FE和产氨率，(d)
1
H NMR谱图，(e) 电催化剂NRR过程的DFT计算
[
114
]
(a) Ru
88
Pt
12
纳米线的结构示意图，(b) Ru
88
Pt
12
纳米线的TEM图像以及(c) HAADF图像，(d) 不同电位下的产氨率以及(e) 对应的FE，(f) 电催化剂的循环性能以及(g) 长期稳定性，(h) 原子模型，(i) 计算所得吸附能，(j) 分态密度
[
111
]
(a) 脂肪族硫醇用于Ru/rGO合成及改性，(b) TEM图像，(c) HR-TEM图像，(d) Ru/rGO-C12的FE及产氨率，(e) Ru/rGO-C12的循环性能以及(f) 长时间稳定性，(g)
15
N
2
氛围下通过
1
H NMR 定量测试NH
3
，(h) 优化后的原子构型，(i) Bader电荷分布，(j) Ru/rGO-C12上的NRR吉布斯自由能曲线
[
93
]
(a) PdRu TP的相关元素分布图，(b) 特定电位下PdRu TPs的产氨率和FE，(c) -0.2 V
RHE
下不同催化剂的产氨率，(d) PdRu TPs上的电催化NRR过程示意图
[
80
]
(a) Ru@ZrO
2
/NC的形貌及结构表征，(b) 电化学氮还原活性，(c) NRR的计算模型以及自由能曲线
[
44
]
性能提升策略指导的部分Ru催化剂性能总结
不同饱和N
2
溶液中Ru薄膜上的傅里叶红外光谱图
[
28
]
注:
(a) 0.1 M HClO
4
溶液 (b) 0.1 M KOH溶液
非均相催化剂上的NRR反应机制
[
23
]
Ru基电催化剂的提升策略
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