摘要: 采用双脉冲控电位技术在单晶硅上沉积了一系列Cu/Co纳米多层膜,调制波长从200nm到5nm不等.用扫描电镜及X射线衍射对多层膜的调制结构进行了表征.采用四探针法测试多层膜的巨磁电阻(GMR)效应,研究了GMR与调制波长(λ)、铜的子层厚度(δCu)的关系:λ较大时,没有观察到明显的GMR效应;λ<30nm时,GMR效应随λ减小而增大;而λ<8nm时,GMR值随铜层厚度的变化周期性振荡.
姚素薇, 赵瑾, 张卫国, 董大为. 单晶硅上电沉积Cu/Co纳米多层膜及其巨磁电阻效应 [J]. 化工学报, 2004, 55(3): 414-417.
YAO Suwei, ZHAO Jin, ZHANG Weiguo, DONG Dawei. ELECTRODEPOSITE Cu/Co NANOMULTILAYER ON SINGLE CRYSTAL Si AND ITS GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT[J]. CIESC Journal, 2004, 55(3): 414-417.