纳米晶Pd修饰p-Si电极的制备及其光电析氢性能
李贺;姚素薇;张卫国;王宏智;贲宇恒
天津大学化工学院,杉山表面技术研究室,天津 300072
Preparation of nanocrystalline Pd modified p-Si electrode and its hydrogen evolution property under illumination
LI He;YAO Suwei;ZHANG Weiguo;WANG Hongzhi;BEN Yuheng
摘要: 在半导体p型Si上化学沉积金属Pd,制备了纳米晶Pd修饰p-Si电极.控制化学沉积的时间,可得到不同沉积量和不同尺度的Pd颗粒,沉积时间为20 min时,Pd颗粒的直径约为80 nm.XRD测试结果表明,Pd颗粒的平均晶粒尺寸为7.37 nm.重点研究了Pd/p-Si电极在光照前后的催化析氢性能.光照下Pd/p-Si电极的析氢过电位较无光照减小约250 mV,比半导体Si减小约450 mV(电流密度为2.5 mA8226;cm-2时).电化学交流阻抗谱(EIS)表明,光照下Pd/p-Si电极的电化学析氢反应电阻由未光照的593.12 Ω8226;cm2降低至442.20Ω8226;cm2,光照下的析氢反应速率明显增加.