张卫国;刘伟星;李贺;姚素薇
天津大学化工学院杉山表面技术实验室,天津 300072
Preparation and photoelectricity of Cu2O nanowires
ZHANG Weiguo;LIU Weixing;LI He;YAO Suwei
摘要: 摘要:通过电沉积法在阳极氧化铝模板中制备了Cu2O纳米线,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Cu2O纳米线的组成和形貌进行了表征,并测试了Cu2O/AAO阵列体系的光电压、交流阻抗性能。测试结果表明,制备的Cu2O纳米线的直径约120nm,长约2μm;Cu2O/AAO阵列体系在紫外灯(365nm)照射下,光电压约25mV, 阻抗值大大减小。