聚天冬氨酸对铜缓蚀作用的光电化学研究
朱律均;徐群杰;曹为民;万宗跃;印仁和;周国定;林昌健
Photoelectrochemical study of inhibition mechanism of PASP on copper
ZHU Lüjun;XU Qunjie;CAO Weimin;WAN Zongyue;YIN Renhe;ZHOU Guoding;LIN Changjian
摘要:
用光电化学方法研究了绿色水处理药剂聚天冬氨酸对铜的缓蚀作用,铜在硼酸-硼砂缓冲溶液(pH=9.2)中,表面的Cu2O膜显p-型光响应,添加适量缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)后,PASP吸附在铜电极表面成膜促使Cu2O膜增厚,体现在电位在负向扫描过程中Cu2O膜的p-型光电流增大。 p-型光电流越大,缓蚀性能越好。当PASP浓度为3 mg·L-1时,Cu2O膜的p-型光电流最大,缓蚀性能最好。 Cl-的存在会阻止PASP在铜电极表面的吸附,使Cu2O膜暴露而受侵蚀,导致了PASP的缓蚀性能变差。